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熱真空試驗(yàn)箱測(cè)試系統(tǒng)，用于極真空及可控均勻的加熱和冷卻循環(huán)套件下測(cè)試器件或樣品。該系統(tǒng)具有計(jì)算機(jī)控制、安全連鎖，以及多級(jí)密碼授權(quán)訪(fǎng)問(wèn)保護(hù)的功能。它可以用于超過(guò)24小時(shí)的圈子全自動(dòng)熱、冷循環(huán)情況下測(cè)試器件/樣品，溫度條件通過(guò)程序定義。該系統(tǒng)通常的應(yīng)用之一是太空模擬。熱真空試驗(yàn)箱腔體的大致尺寸為：直徑24"，長(zhǎng)度43"。帶有一個(gè)16"x32"的滑動(dòng)加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺(tái)也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個(gè)平臺(tái)的溫度均勻度可達(dá)/-1...

NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無(wú)油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動(dòng)控制，*的安全互鎖。目前，這項(xiàng)技術(shù)延伸到5個(gè)4"晶圓的立柜式獨(dú)立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成...

進(jìn)口ALD設(shè)備原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn)：占地面積小計(jì)算機(jī)控制，Labview軟件全自動(dòng)工藝控制360A厚的...

兆聲清洗機(jī)是以高頻(850kHz)振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行清洗為原理的清洗設(shè)備。兆聲清洗機(jī)不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了它的不足。在清洗時(shí)，由換能器發(fā)出波長(zhǎng)為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動(dòng)下作加速運(yùn)動(dòng)，大瞬時(shí)速度可達(dá)到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。兆聲清洗機(jī)操作規(guī)程：1、遵守鑄造設(shè)備通用操作規(guī)程。2、工作前...

ICP刻蝕機(jī)是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪?shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。ICP刻蝕機(jī)主要特點(diǎn)：基于PC控制的立柜式百級(jí)ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅(qū)動(dòng)，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動(dòng)系統(tǒng)，帶安全聯(lián)...

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到z大可達(dá)6”直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿(mǎn)足廣大范圍的要求，無(wú)...

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是納米制造領(lǐng)域的一項(xiàng)著名技術(shù)，在大規(guī)模集成電路、絕緣材料、磁性材料、光電子材料領(lǐng)域有著*的重要地位。通過(guò)利用氣相間的反應(yīng)，它能將蒸發(fā)的反應(yīng)物沉積在表面形成薄膜，比如說(shuō)石墨烯就是CVD廣為認(rèn)知的產(chǎn)物，但目前看來(lái)，制備薄膜半導(dǎo)體材料也是它受重視的應(yīng)用之一。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的原理：CVD的研究始于十九世紀(jì)末，主要用于重要材料的合成和制備。若想知道CVD是如何制造特定薄膜的，那就得先了解它的原理。CVD屬于“自下而上”的納米制造技術(shù)，其原理是把含有構(gòu)成...

光學(xué)鍍膜系統(tǒng)是在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級(jí)腔體中對(duì)同一樣片進(jìn)行表面涂覆，整個(gè)過(guò)程不間斷真空。系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也可以支持其中任一個(gè)腔體的單獨(dú)使用，同時(shí)具備各自的自動(dòng)上/下載片功能。簡(jiǎn)單的光學(xué)薄膜模型是表面光滑、各向同性的均勻介質(zhì)薄層。在這種情況下，可以用光的干涉理論來(lái)研究光學(xué)薄膜的光學(xué)性質(zhì)。當(dāng)一束單色平面波入射到光學(xué)薄膜上時(shí)，在它的兩個(gè)表面上發(fā)生多次反射和折射，反射光和折射光的方向由反射定律和折射定律給出，反射光和折射光的振幅大小則由菲涅耳公式確定...